MMBT6520LT1G

Teknik Özellikler

Vce Saturation Max Ib Ic

1V @ 5mA, 50mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

20 @ 50mA 10V

Transistor Type

PNP

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Collectoremitter Saturation Voltage

-1V

Max Breakdown Voltage

350V

Akım Değeri

-500mA

Collector Emitter Voltage Vceo

350V

Current Collector Cutoff Max

50nA ICBO

Yayın Yılı

2004

Genişlik

2.64mm

Kurşunsuz Kodu

yes

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Max Power Dissipation

225mW

JESD-609 Kodu

e3

Number Of Elements

1

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Terminal Formu

GULL WING

Uzunluk

3.04mm

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Transistor Application

SWITCHING

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Element Material

SILICON

Frekans

200MHz

Terminal Sayısı

3

Collector Base Voltage Vcbo

350V

Element Configuration

Single

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

Reach Svhc

No SVHC

Power Max

225mW

Hfemin

20

Contact Plating

Tin

Yükseklik

1.11mm

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Max Collector Current

500mA

Yüzey Montaj

YES

Polaritychannel Type

PNP

Power Dissipation

300mW

Ambalaj

Cut Tape (CT)