MMBT6517LT1G

Teknik Özellikler

Yayın Yılı

1998

Kurşunsuz Kodu

yes

Genişlik

2.64mm

Collector Emitter Voltage Vceo

350V

Current Collector Cutoff Max

50nA ICBO

Collectoremitter Saturation Voltage

1V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Max Breakdown Voltage

350V

Akım Değeri

500mA

Vce Saturation Max Ib Ic

1V @ 5mA, 50mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

20 @ 50mA 10V

Transistor Type

NPN

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Sayısı

3

Frekans

200MHz

Collector Base Voltage Vcbo

350V

Uzunluk

3.04mm

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Transistor Application

SWITCHING

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN Kodu

EAR99

Number Of Elements

1

Terminal Formu

GULL WING

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Max Power Dissipation

225mW

JESD-609 Kodu

e3

Polaritychannel Type

NPN

Yüzey Montaj

YES

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Max Collector Current

100mA

Contact Plating

Tin

Yükseklik

1.11mm

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)

Element Configuration

Single

Power Max

225mW

Reach Svhc

No SVHC

Hfemin

20

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Parça Durumu

Obsolete