MMBT589LT1G

Teknik Özellikler

Terminal Formu

GULL WING

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Number Of Elements

1

JESD-609 Kodu

e3

Max Power Dissipation

310mW

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Frekans

100MHz

Terminal Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Application

SWITCHING

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Akım Değeri

-1A

Max Breakdown Voltage

30V

Collectoremitter Saturation Voltage

-650mV

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Transistor Type

PNP

Halogen Free

Halogen Free

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 500mA 2V

Vce Saturation Max Ib Ic

650mV @ 200mA, 2A

Kurşunsuz Kodu

yes

Yayın Yılı

1998

Current Collector Cutoff Max

100nA

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Temel Parça No

MMBT589L

Gain Bandwidth Product

100MHz

Pin Sayısı

3

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Montaj Tipi

Surface Mount

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Power Dissipation

710mW

Transition Frequency

100MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Pin Sayısı

3

Parça Durumu

Active

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz

Lead Free