MMBT5551M3T5G

Teknik Özellikler

Vce Saturation Max Ib Ic

200mV @ 5mA, 50mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 10mA 5V

Transistor Type

NPN

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Element Configuration

Single

Reach Svhc

No SVHC

Power Max

265mW

Max Breakdown Voltage

160V

Collector Emitter Voltage Vceo

160V

Kılıf / Paket

SOT-723

Current Collector Cutoff Max

50nA

Max Collector Current

60mA

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Yüzey Montaj

YES

Polaritychannel Type

NPN

Yayın Yılı

2009

Kurşunsuz Kodu

yes

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Power Dissipation

640mW

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

JESD-609 Kodu

e3

Max Power Dissipation

640mW

Number Of Elements

1

Pin Sayısı

3

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Montaj Tipi

Surface Mount

Temel Parça No

MMBT5551

Terminal Formu

FLAT

Radyasyon Dayanımı

No

Emitter Base Voltage Vebo

6V

ECCN Kodu

EAR99

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Sayısı

3

Pin Sayısı

3

Parça Durumu

Active

Transistor Element Material

SILICON

Collectoremitter Breakdown Voltage

160V