MMBT5551LT3G

Teknik Özellikler

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 10mA 5V

Vce Saturation Max Ib Ic

200mV @ 5mA, 50mA

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

Element Configuration

Single

Hfemin

80

Transistor Type

NPN

Max Breakdown Voltage

160V

Collectoremitter Saturation Voltage

150mV

Yükseklik

1.11mm

Akım Değeri

600mA

Collector Emitter Voltage Vceo

160V

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Max Collector Current

600mA

Current Collector Cutoff Max

100nA

Yüzey Montaj

YES

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Kurşunsuz Kodu

yes

Genişlik

2.64mm

Yayın Yılı

2007

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Power Dissipation

300mW

Vcesatmax

0.2 V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Kodu

e3

Max Power Dissipation

225mW

Montaj Tipi

Surface Mount

Pin Sayısı

3

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Number Of Elements

1

Terminal Formu

GULL WING

Temel Parça No

MMBT5551

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Radyasyon Dayanımı

No

Uzunluk

3.04mm

Transistor Application

SWITCHING

Voltage Rated Dc

160V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN Kodu

EAR99