Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 25 @ 3mA 1V
- Transistor Type
- NPN
- Max Breakdown Voltage
- 12V
- Weight
- 30mg
- Akım Değeri
- 50mA
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 12V
- Continuous Collector Current
- 50mA
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Genişlik
- 1.3mm
- Yayın Yılı
- 2001
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~150°C TJ
- Gain
- 15dB
- Max Power Dissipation
- 225mW
- JESD-609 Kodu
- e3
- Fabrika Tedarik Süresi
- 42 Weeks
- Number Of Elements
- 1
- Terminal Formu
- GULL WING
- Noise Figure Db Typ F
- 5dB @ 200MHz
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Emitter Base Voltage Vebo
- 2.5V
- Uzunluk
- 2.92mm
- ECCN Kodu
- EAR99
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Terminal Sayısı
- 3
- Frekans
- 2GHz
- Transistor Element Material
- SILICON
- Collector Base Voltage Vcbo
- 20V
- Hfemin
- 25
- Reach Svhc
- No SVHC
- Lifecycle Status
- ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
- Element Configuration
- Single
- Yükseklik
- 930μm
- Kılıf / Paket
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Max Collector Current
- 50mA
- Polaritychannel Type
- NPN
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Power Dissipation
- 225mW
- Vcesatmax
- 0.4 V
İlgili Ürünler
Stokta
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Stokta
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
Stokta
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
Stokta
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
Stokta
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
Stokta
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
Stokta
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
Stokta
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors