MMBT489LT1G

Teknik Özellikler

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Current Collector Cutoff Max

100nA

Yayın Yılı

2005

Genişlik

2.64mm

Kurşunsuz Kodu

yes

Vce Saturation Max Ib Ic

200mV @ 100mA, 1A

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

300 @ 500mA 5V

Transistor Type

NPN

Halogen Free

Halogen Free

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Collectoremitter Saturation Voltage

200mV

Max Breakdown Voltage

30V

Akım Değeri

2A

Transistor Application

SWITCHING

Uzunluk

3.04mm

Emitter Base Voltage Vebo

5V

ECCN Kodu

EAR99

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Sayısı

3

Frekans

100MHz

Transistor Element Material

SILICON

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Max Power Dissipation

310mW

JESD-609 Kodu

e3

Number Of Elements

1

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Terminal Formu

GULL WING

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Max Collector Current

1A

Yüzey Montaj

YES

Polaritychannel Type

NPN

Hfemin

300

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Element Configuration

Single

Reach Svhc

No SVHC

Contact Plating

Tin

Yükseklik

1.11mm

Voltage Rated Dc

30V

Radyasyon Dayanımı

No