MMBT4401LT3G

Teknik Özellikler

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN Kodu

EAR99

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Uzunluk

3.04mm

Transistor Application

SWITCHING

Collector Base Voltage Vcbo

60V

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Sayısı

3

Frekans

250MHz

Max Power Dissipation

225mW

JESD-609 Kodu

e3

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Formu

GULL WING

Turn On Timemax Ton

255ns

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Number Of Elements

1

Collector Emitter Voltage Vceo

40V

Genişlik

2.64mm

Kurşunsuz Kodu

yes

Yayın Yılı

2007

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Transistor Type

NPN

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 150mA 1V

Vce Saturation Max Ib Ic

750mV @ 50mA, 500mA

Akım Değeri

600mA

Max Breakdown Voltage

40V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Collectoremitter Saturation Voltage

750mV

Radyasyon Dayanımı

No

Voltage Rated Dc

40V

Transition Frequency

250MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

40V

Parça Durumu

Active

Pin Sayısı

3

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz

Lead Free

Power Dissipation

225mW

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Temel Parça No

MMBT4401