MMBT2369LT3G

Teknik Özellikler

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Collectoremitter Saturation Voltage

250mV

Power Dissipation

300mW

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Kurşunsuz

Lead Free

Genişlik

2.64mm

Collector Base Voltage Vcbo

40V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

40 @ 10mA 350mV

Temel Parça No

MMBT2369

Element Configuration

Single

Max Power Dissipation

225mW

Yükseklik

1.11mm

Montaj Tipi

Surface Mount

Collectoremitter Breakdown Voltage

15V

Uzunluk

3.04mm

Collector Emitter Voltage Vceo

15V

Transistor Element Material

SILICON

Yüzey Montaj

YES

Parça Durumu

Active

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

Max Frequency

1MHz

Emitter Base Voltage Vebo

4.5V

Yayın Yılı

2008

Number Of Elements

1

Terminal Pozisyonu

DUAL

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Kodu

e3

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Formu

GULL WING

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Max Collector Current

200mA

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Sayısı

3

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Current Collector Cutoff Max

400nA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Transistor Type

NPN