MJW21195G

Teknik Özellikler

Hfemin

20

Number Of Elements

1

Transistor Type

PNP

Yüzey Montaj

NO

Vce Saturation Max Ib Ic

3V @ 3.2A, 16A

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Gain Bandwidth Product

4MHz

Transition Frequency

4MHz

Max Collector Current

16A

Jedec95 Code

TO-247AD

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Genişlik

5.3mm

Pin Sayısı

3

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

JESD-609 Kodu

e3

Voltage Rated Dc

-250V

Kurşunsuz

Lead Free

Radyasyon Dayanımı

No

Yükseklik

21.08mm

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Current Collector Cutoff Max

100μA

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Case Connection

COLLECTOR

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

TO-247-3

Weight

4.535924g

Frekans

4MHz

Akım Değeri

-16A

Collector Base Voltage Vcbo

400V

Transistor Application

AMPLIFIER

Max Power Dissipation

200W

Transistor Element Material

SILICON

Pin Sayısı

3

Terminal Sayısı

3

Uzunluk

16.26mm

Fabrika Tedarik Süresi

6 Weeks

Kurşunsuz Kodu

yes

ECCN Kodu

EAR99

Element Configuration

Single

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

20 @ 8A 5V