MJH6287

Teknik Özellikler

Terminal Sayısı

3

Vce Saturation Max Ib Ic

3V @ 200mA, 20A

Yüzey Montaj

NO

Pin Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

Max Power Dissipation

160W

Transistor Application

AMPLIFIER

Collector Base Voltage Vcbo

100V

Transistor Type

PNP - Darlington

Akım Değeri

-20A

Number Of Elements

1

Kılıf / Paket

TO-218-3

Qualification Status

Not Qualified

Vcesatmax

3 V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN Kodu

EAR99

Element Configuration

Single

Kurşunsuz Kodu

no

Max Collector Current

20A

Transition Frequency

4MHz

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Yayın Yılı

1998

Power Dissipation

160W

Kurşunsuz

Contains Lead

Collectorbase Capacitancemax

600pF

Voltage Rated Dc

-100V

JESD-609 Kodu

e0

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Pin Sayısı

3

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

750 @ 10A 3V

Collectoremitter Breakdown Voltage

100V

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Continuous Collector Current

20A

Case Connection

COLLECTOR

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Collector Emitter Voltage Vceo

100V

Collectoremitter Saturation Voltage

2V

Frequency Transition

4MHz

Montaj Tipi

Through Hole