MJH11019G

Teknik Özellikler

Max Collector Current

15A

Transition Frequency

3MHz

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Type

PNP - Darlington

Number Of Elements

1

Vce Saturation Max Ib Ic

4V @ 150mA, 15A

Yüzey Montaj

NO

Current Collector Cutoff Max

1mA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Case Connection

COLLECTOR

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Voltage Rated Dc

-200V

JESD-609 Kodu

e3

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Pin Sayısı

3

Genişlik

4.9mm

Radyasyon Dayanımı

No

Yükseklik

12.2mm

Kurşunsuz

Lead Free

ECCN Kodu

EAR99

Element Configuration

Single

Kurşunsuz Kodu

yes

Fabrika Tedarik Süresi

7 Weeks

Collector Base Voltage Vcbo

200V

Transistor Application

SWITCHING

Akım Değeri

-15A

Weight

6.500007g

Kılıf / Paket

TO-247-3

Terminal Sayısı

3

Uzunluk

15.2mm

Pin Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

Max Power Dissipation

150W

Collector Emitter Voltage Vceo

200V

Collectoremitter Saturation Voltage

2.5V

Frequency Transition

3MHz

Montaj Tipi

Through Hole

Polarity

PNP