MJE803G

Teknik Özellikler

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Halogen Free

Halogen Free

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Transition Frequency

1MHz

Max Collector Current

4A

Yüzey Montaj

NO

Vce Saturation Max Ib Ic

2.8V @ 40mA, 2A

Hfemin

100

Number Of Elements

1

Transistor Type

NPN - Darlington

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Current Collector Cutoff Max

100μA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Radyasyon Dayanımı

No

Yükseklik

6.35mm

Kurşunsuz

Lead Free

Pin Sayısı

3

Genişlik

6.35mm

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Voltage Rated Dc

80V

JESD-609 Kodu

e3

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Kurşunsuz Kodu

yes

ECCN Kodu

EAR99

Element Configuration

Single

Max Power Dissipation

40W

Transistor Element Material

SILICON

Pin Sayısı

3

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR

Terminal Sayısı

3

Uzunluk

6.35mm

Weight

4.535924g

Kılıf / Paket

TO-225AA, TO-126-3

Collector Base Voltage Vcbo

80V

Transistor Application

AMPLIFIER

Akım Değeri

4A

Collectoremitter Breakdown Voltage

80V

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Ambalaj

Bulk