MJE703G

Teknik Özellikler

Radyasyon Dayanımı

No

Yükseklik

11.04mm

Kurşunsuz

Lead Free

JESD-609 Kodu

e3

Voltage Rated Dc

-80V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Genişlik

2.66mm

Pin Sayısı

3

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Current Collector Cutoff Max

100μA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Vce Saturation Max Ib Ic

2.8V @ 40mA, 2A

Yüzey Montaj

NO

Transistor Type

PNP - Darlington

Number Of Elements

1

Hfemin

100

Halogen Free

Halogen Free

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Collector Current

4A

Transition Frequency

1MHz

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Yayın Yılı

2006

Power Dissipation

40W

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Reach Svhc

No SVHC

Temel Parça No

MJE703

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

750 @ 2A 3V

Collectoremitter Breakdown Voltage

80V

Montaj Tipi

Through Hole

Collector Emitter Voltage Vceo

80V

Collectoremitter Saturation Voltage

2.5V

Polarity

PNP

Parça Durumu

Active

Ambalaj

Bulk

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Uzunluk

7.74mm

Terminal Sayısı

3

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR

Transistor Element Material

SILICON