MJE5850G

Teknik Özellikler

Max Collector Current

8A

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Jedec95 Code

TO-220AB

Transistor Type

PNP

Number Of Elements

1

Hfemin

15

Vce Saturation Max Ib Ic

5V @ 3A, 8A

Yüzey Montaj

NO

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Seri

SWITCHMODE™

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Case Connection

COLLECTOR

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Voltage Rated Dc

-300V

JESD-609 Kodu

e3

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Pin Sayısı

3

Polaritychannel Type

PNP

Genişlik

6.35mm

Kurşunsuz

Lead Free

Yükseklik

6.35mm

Radyasyon Dayanımı

No

ECCN Kodu

EAR99

Element Configuration

Single

Kurşunsuz Kodu

yes

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Collector Base Voltage Vcbo

350V

Transistor Application

SWITCHING

Akım Değeri

-8A

Weight

4.535924g

Kılıf / Paket

TO-220-3

Uzunluk

6.35mm

Terminal Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

Pin Sayısı

3

Max Power Dissipation

80W

Collectoremitter Saturation Voltage

2V

Collector Emitter Voltage Vceo

300V

Montaj Tipi

Through Hole