MJE5730G

Teknik Özellikler

Max Collector Current

1A

Gain Bandwidth Product

10MHz

Transition Frequency

10MHz

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Jedec95 Code

TO-220AB

Transistor Type

PNP

Number Of Elements

1

Hfemin

30

Vce Saturation Max Ib Ic

1V @ 200mA, 1A

Yüzey Montaj

NO

Current Collector Cutoff Max

1mA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Case Connection

COLLECTOR

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Voltage Rated Dc

-300V

JESD-609 Kodu

e3

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Pin Sayısı

3

Polaritychannel Type

PNP

Genişlik

6.35mm

Radyasyon Dayanımı

No

Yükseklik

6.35mm

Kurşunsuz

Lead Free

ECCN Kodu

EAR99

Element Configuration

Single

Kurşunsuz Kodu

yes

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Transistor Application

SWITCHING

Collector Base Voltage Vcbo

300V

Akım Değeri

-1A

Frekans

10MHz

Weight

4.535924g

Kılıf / Paket

TO-220-3

Additional Feature

LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE

Terminal Sayısı

3

Uzunluk

6.35mm

Transistor Element Material

SILICON

Pin Sayısı

3