MJE5730

Teknik Özellikler

Number Of Elements

1

Akım Değeri

1A

Transistor Application

SWITCHING

Collector Base Voltage Vcbo

300V

Transistor Type

PNP

Hfemin

30

Kılıf / Paket

TO-220-3

Additional Feature

LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE

Vce Saturation Max Ib Ic

1V @ 200mA, 1A

Terminal Sayısı

3

Max Power Dissipation

40W

Transistor Element Material

SILICON

Pin Sayısı

3

Yüzey Montaj

NO

Max Collector Current

1A

Kurşunsuz Kodu

no

Element Configuration

Single

ECCN Kodu

EAR99

HTS Kodu

8541.29.00.95

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Gain Bandwidth Product

10MHz

Transition Frequency

10MHz

Qualification Status

Not Qualified

Jedec95 Code

TO-220AB

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

JESD-609 Kodu

e0

Voltage Rated Dc

-300V

Polaritychannel Type

PNP

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

30 @ 300mA 10V

Pin Sayısı

3

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Kurşunsuz

Contains Lead

Yayın Yılı

2006

Current Collector Cutoff Max

1mA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Montaj Tipi

Through Hole

Collectoremitter Saturation Voltage

1V

Collector Emitter Voltage Vceo

1V

Ambalaj

Tube