MJE172G

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Yükseklik

11.1mm

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Terminal Sayısı

3

Element Configuration

Single

Collector Emitter Voltage Vceo

80V

Voltage Rated Dc

-80V

Weight

4.535924g

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

50 @ 100mA 1V

Temel Parça No

MJE172

Collector Base Voltage Vcbo

100V

Fabrika Tedarik Süresi

6 Weeks

Hfemin

50

Collectoremitter Saturation Voltage

1.7V

Reach Svhc

No SVHC

Pin Sayısı

3

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Akım Değeri

3A

ECCN Kodu

EAR99

Transition Frequency

50MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

80V

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Element Material

SILICON

Kurşunsuz Kodu

yes

Power Dissipation

12.5W

Genişlik

3mm

Pin Sayısı

3

Yüzey Montaj

NO

Max Collector Current

3A

Vce Saturation Max Ib Ic

1.7V @ 600mA, 3A

Contact Plating

Tin

Frekans

50MHz

Yayın Yılı

2006

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj Tipi

Through Hole

Transistor Application

SWITCHING

Ambalaj

Bulk