MJD50T4

Teknik Özellikler

Transition Frequency

10MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

400V

Terminal Formu

GULL WING

ECCN Kodu

EAR99

Akım Değeri

1A

Current Collector Cutoff Max

200μA

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Pin Sayısı

3

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Kurşunsuz Kodu

no

Transistor Element Material

SILICON

JESD-609 Kodu

e0

Max Collector Current

1A

Yüzey Montaj

YES

Pin Sayısı

3

Terminal Sayısı

2

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Collector Base Voltage Vcbo

500V

Temel Parça No

MJD50

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

30 @ 300mA 10V

Voltage Rated Dc

400V

Element Configuration

Single

Collector Emitter Voltage Vceo

1V

Case Connection

COLLECTOR

Collectoremitter Saturation Voltage

1V

Hfemin

30

Power Max

15W

Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

Qualification Status

Not Qualified

Gain Bandwidth Product

10MHz

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Polaritychannel Type

NPN

Transistor Type

NPN

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Max Breakdown Voltage

400V

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Vce Saturation Max Ib Ic

1V @ 200mA, 1A