MJD50G

Teknik Özellikler

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

3

Current Collector Cutoff Max

200μA

Akım Değeri

1A

ECCN Kodu

EAR99

Transition Frequency

10MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

400V

Terminal Formu

GULL WING

Power Dissipation

1.56W

Genişlik

6.22mm

Pin Sayısı

3

Yüzey Montaj

YES

Max Collector Current

1A

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Element Material

SILICON

Kurşunsuz Kodu

yes

Element Configuration

Single

Collector Emitter Voltage Vceo

400V

Voltage Rated Dc

400V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

30 @ 300mA 10V

Temel Parça No

MJD50

Collector Base Voltage Vcbo

500V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Yükseklik

2.38mm

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Terminal Sayısı

2

Hfemin

30

Collectoremitter Saturation Voltage

1V

Reach Svhc

No SVHC

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Case Connection

COLLECTOR

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Polaritychannel Type

NPN

Transistor Type

NPN

Gain Bandwidth Product

10MHz

Uzunluk

6.73mm

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63