MJD47G

Teknik Özellikler

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Uzunluk

6.73mm

Gain Bandwidth Product

10MHz

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Polaritychannel Type

NPN

Transistor Type

NPN

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Vce Saturation Max Ib Ic

1V @ 200mA, 1A

Montaj Tipi

Surface Mount

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2006

Frekans

10MHz

Number Of Elements

1

Max Power Dissipation

1.56W

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Active

Ambalaj

Tube

Transistor Application

SWITCHING

Transition Frequency

10MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

250V

Terminal Formu

GULL WING

ECCN Kodu

EAR99

Akım Değeri

1A

Current Collector Cutoff Max

200μA

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Pin Sayısı

3

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Radyasyon Dayanımı

No

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Element Material

SILICON

JESD-609 Kodu

e3

Max Collector Current

1A

Yüzey Montaj

YES

Pin Sayısı

3

Power Dissipation

1.56W

Genişlik

6.22mm

Terminal Sayısı

2

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ