MJD45H11T4G

Teknik Özellikler

Vce Saturation Max Ib Ic

1V @ 400mA, 8A

Contact Plating

Tin

Frekans

90MHz

Montaj Tipi

Surface Mount

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2005

Halogen Free

Halogen Free

Transistor Application

SWITCHING

Parça Durumu

Active

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Kurşunsuz

Lead Free

Max Power Dissipation

1.75W

Number Of Elements

1

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 hour ago)

Uzunluk

6.73mm

Transistor Type

PNP

Polaritychannel Type

PNP

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Gain Bandwidth Product

90MHz

Max Breakdown Voltage

80V

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Yükseklik

2.38mm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Sayısı

2

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Voltage Rated Dc

-80V

Element Configuration

Single

Collector Emitter Voltage Vceo

80V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

40 @ 4A 1V

Temel Parça No

MJD45H11

Collector Base Voltage Vcbo

5V

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Case Connection

COLLECTOR

Hfemin

60

Collectoremitter Saturation Voltage

1V

Reach Svhc

No SVHC

Pin Sayısı

3

Current Collector Cutoff Max

1μA