MJD45H11-1G

Teknik Özellikler

Yüzey Montaj

NO

Max Collector Current

8A

Power Dissipation

1.75W

Genişlik

2.38mm

Pin Sayısı

4

Kurşunsuz Kodu

yes

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Element Material

SILICON

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Radyasyon Dayanımı

No

Akım Değeri

-8A

Transition Frequency

40MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

80V

ECCN Kodu

EAR99

Pin Sayısı

4

Current Collector Cutoff Max

1μA

Hfemin

60

Collectoremitter Saturation Voltage

1V

Case Connection

COLLECTOR

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Temel Parça No

MJD45H11

Collector Base Voltage Vcbo

5V

Voltage Rated Dc

-80V

Element Configuration

Single

Collector Emitter Voltage Vceo

80V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

40 @ 4A 1V

Terminal Sayısı

3

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Yükseklik

6.22mm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Jesd30 Code

R-PSIP-T3

Kılıf / Paket

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Gain Bandwidth Product

90MHz

Transistor Type

PNP

Polaritychannel Type

PNP

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)

Uzunluk

6.73mm

Kurşunsuz

Lead Free