MJD42C1G

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Vce Saturation Max Ib Ic

1.5V @ 600mA, 6A

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Terminal Sayısı

3

Collector Emitter Voltage Vceo

100V

Element Configuration

Single

Voltage Rated Dc

-100V

Frekans

3MHz

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

15 @ 3A 4V

Temel Parça No

MJD42

Montaj Tipi

Through Hole

Yayın Yılı

2006

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Base Voltage Vcbo

100V

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Case Connection

COLLECTOR

Transistor Application

SWITCHING

Parça Durumu

Active

Ambalaj

Tube

Kurşunsuz

Lead Free

Reach Svhc

No SVHC

Max Power Dissipation

1.75W

Number Of Elements

1

Pin Sayısı

4

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Current Collector Cutoff Max

50μA

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Akım Değeri

-6A

ECCN Kodu

EAR99

Collectoremitter Breakdown Voltage

100V

Transition Frequency

3MHz

Radyasyon Dayanımı

No

Polaritychannel Type

PNP

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Transistor Type

PNP

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Gain Bandwidth Product

3MHz

JESD-609 Kodu

e3

Max Breakdown Voltage

100V