MJD42C1

Teknik Özellikler

Kurşunsuz

Contains Lead

Number Of Elements

1

Max Power Dissipation

1.75W

Transistor Application

SWITCHING

Hfemin

30

Collectoremitter Saturation Voltage

1.5V

Ambalaj

Tube

Parça Durumu

Obsolete

Case Connection

COLLECTOR

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2006

Montaj Tipi

Through Hole

Temel Parça No

MJD42

Collector Base Voltage Vcbo

100V

Voltage Rated Dc

-100V

Element Configuration

Single

Collector Emitter Voltage Vceo

1.5V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

15 @ 3A 4V

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Terminal Sayısı

3

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Vce Saturation Max Ib Ic

1.5V @ 600mA, 6A

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Yüzey Montaj

NO

Max Collector Current

6A

Pin Sayısı

4

Kurşunsuz Kodu

no

Jesd30 Code

R-PSIP-T3

Currentcollector Ic Max

6A

JESD-609 Kodu

e0

Transistor Element Material

SILICON

Kılıf / Paket

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Gain Bandwidth Product

3MHz

Transistor Type

PNP

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Polaritychannel Type

PNP

Akım Değeri

-6A

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)