MJD350G

Teknik Özellikler

Number Of Elements

1

Max Power Dissipation

1.56W

Kurşunsuz

Lead Free

Collectoremitter Saturation Voltage

1V

Ambalaj

Tube

Parça Durumu

Obsolete

Hfemin

30

Transistor Application

SWITCHING

Case Connection

COLLECTOR

Collector Base Voltage Vcbo

300V

Temel Parça No

MJD350

Montaj Tipi

Surface Mount

Yayın Yılı

2000

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

30 @ 50mA 10V

Element Configuration

Single

Collector Emitter Voltage Vceo

300V

Voltage Rated Dc

-300V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Terminal Sayısı

2

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Yükseklik

2.3876mm

Max Collector Current

500mA

Yüzey Montaj

YES

Pin Sayısı

3

Power Dissipation

1.56W

Genişlik

6.223mm

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Kurşunsuz Kodu

yes

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Transistor Element Material

SILICON

JESD-609 Kodu

e3

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Transistor Type

PNP

Emitter Base Voltage Vebo

3V

Polaritychannel Type

PNP

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Formu

GULL WING

Transition Frequency

10MHz