MJD32T4G

Teknik Özellikler

Kurşunsuz Kodu

yes

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Element Material

SILICON

Yüzey Montaj

YES

Max Collector Current

3A

Power Dissipation

1.56W

Pin Sayısı

3

Akım Değeri

-3A

Transition Frequency

3MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

40V

Terminal Formu

GULL WING

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Pin Sayısı

3

Current Collector Cutoff Max

50μA

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Radyasyon Dayanımı

No

Case Connection

COLLECTOR

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Hfemin

25

Collectoremitter Saturation Voltage

1.2V

Terminal Sayısı

2

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Temel Parça No

MJD32

Collector Base Voltage Vcbo

40V

Voltage Rated Dc

-40V

Element Configuration

Single

Collector Emitter Voltage Vceo

40V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

10 @ 3A 4V

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Max Breakdown Voltage

100V

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

Gain Bandwidth Product

3MHz

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Polaritychannel Type

PNP

Transistor Type

PNP

Kurşunsuz

Lead Free