MJD32RLG

Teknik Özellikler

Kurşunsuz

Lead Free

Max Power Dissipation

1.56W

Number Of Elements

1

Transistor Application

AMPLIFIER

Parça Durumu

Active

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Montaj Tipi

Surface Mount

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2005

Frekans

3MHz

Vce Saturation Max Ib Ic

1.2V @ 375mA, 3A

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gain Bandwidth Product

3MHz

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Transistor Type

PNP

Polaritychannel Type

PNP

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

Hfemin

25

Collectoremitter Saturation Voltage

1.2V

Case Connection

COLLECTOR

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Temel Parça No

MJD32

Collector Base Voltage Vcbo

40V

Element Configuration

Single

Collector Emitter Voltage Vceo

40V

Voltage Rated Dc

-40V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

10 @ 3A 4V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Terminal Sayısı

2

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Yüzey Montaj

YES

Max Collector Current

3A

Power Dissipation

1.56W

Pin Sayısı

3

Kurşunsuz Kodu

yes

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Element Material

SILICON

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant