MJD32CTF

Teknik Özellikler

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Element Material

SILICON

Kurşunsuz Kodu

yes

Power Dissipation

1.56W

Genişlik

6.1mm

Max Collector Current

3A

Pin Sayısı

3

Current Collector Cutoff Max

50μA

Akım Değeri

-3A

ECCN Kodu

EAR99

Collectoremitter Breakdown Voltage

100V

Transition Frequency

3MHz

Terminal Formu

GULL WING

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Fabrika Tedarik Süresi

6 Weeks

Hfemin

10

Collectoremitter Saturation Voltage

-1.2V

Reach Svhc

No SVHC

Yükseklik

2.3mm

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Montaj

Surface Mount

Terminal Sayısı

2

Element Configuration

Single

Collector Emitter Voltage Vceo

100V

Voltage Rated Dc

-100V

Weight

260.37mg

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

10 @ 3A 4V

Temel Parça No

MJD32

Collector Base Voltage Vcbo

-100V

Max Breakdown Voltage

100V

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Uzunluk

6.6mm

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)

Transistor Type

PNP

Polaritychannel Type

PNP

Emitter Base Voltage Vebo

-5V

Gain Bandwidth Product

3MHz

Transistor Application

AMPLIFIER