MJD32CT4G

Teknik Özellikler

Kurşunsuz Kodu

yes

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Element Material

SILICON

Yüzey Montaj

YES

Max Collector Current

3A

Power Dissipation

1.56W

Genişlik

6.22mm

Terminal

SMD/SMT

Pin Sayısı

3

Akım Değeri

-3A

ECCN Kodu

EAR99

Collectoremitter Breakdown Voltage

100V

Transition Frequency

3MHz

Terminal Formu

GULL WING

Pin Sayısı

3

Current Collector Cutoff Max

50μA

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Radyasyon Dayanımı

No

Case Connection

COLLECTOR

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Reach Svhc

No SVHC

Hfemin

25

Collectoremitter Saturation Voltage

1.2V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Terminal Sayısı

2

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Yükseklik

2.38mm

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Temel Parça No

MJD32

Collector Base Voltage Vcbo

100V

Element Configuration

Single

Collector Emitter Voltage Vceo

100V

Voltage Rated Dc

-100V

Weight

4.535924g

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

10 @ 3A 4V

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Max Breakdown Voltage

100V

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Uzunluk

6.73mm

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)