MJD32CRLG

Teknik Özellikler

Transistor Application

AMPLIFIER

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Parça Durumu

Active

Kurşunsuz

Lead Free

Number Of Elements

1

Max Power Dissipation

1.56W

Frekans

3MHz

Montaj Tipi

Surface Mount

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2005

Vce Saturation Max Ib Ic

1.2V @ 375mA, 3A

Contact Plating

Tin

Max Breakdown Voltage

100V

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Polaritychannel Type

PNP

Transistor Type

PNP

Gain Bandwidth Product

3MHz

Uzunluk

6.73mm

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Hfemin

10

Collectoremitter Saturation Voltage

1.2V

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Case Connection

COLLECTOR

Collector Emitter Voltage Vceo

100V

Element Configuration

Single

Voltage Rated Dc

-100V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

10 @ 3A 4V

Temel Parça No

MJD32

Collector Base Voltage Vcbo

100V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Yükseklik

2.38mm

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Terminal Sayısı

2

Genişlik

6.22mm

Power Dissipation

1.56W

Pin Sayısı

3

Yüzey Montaj

YES