MJD31T4G

Teknik Özellikler

Number Of Elements

1

Max Power Dissipation

1.56W

Kurşunsuz

Lead Free

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Parça Durumu

Active

Transistor Application

AMPLIFIER

Contact Plating

Tin

Vce Saturation Max Ib Ic

1.2V @ 375mA, 3A

Montaj Tipi

Surface Mount

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2005

Frekans

3MHz

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Max Breakdown Voltage

40V

Uzunluk

6.73mm

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Gain Bandwidth Product

3MHz

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Polaritychannel Type

NPN

Transistor Type

NPN

Case Connection

COLLECTOR

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Collectoremitter Saturation Voltage

1.2V

Hfemin

25

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Terminal Sayısı

2

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Yükseklik

2.38mm

Collector Base Voltage Vcbo

40V

Temel Parça No

MJD31

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

10 @ 3A 4V

Collector Emitter Voltage Vceo

40V

Element Configuration

Single

Voltage Rated Dc

40V

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Element Material

SILICON

JESD-609 Kodu

e3

Max Collector Current

3A