MJD3055T4G

Teknik Özellikler

Current Collector Cutoff Max

50μA

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Pin Sayısı

3

Transition Frequency

2MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

60V

Terminal Formu

GULL WING

ECCN Kodu

EAR99

Akım Değeri

10A

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transistor Element Material

SILICON

JESD-609 Kodu

e3

Kurşunsuz Kodu

yes

Pin Sayısı

3

Genişlik

6.22mm

Power Dissipation

1.75W

Max Collector Current

10A

Yüzey Montaj

YES

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Yükseklik

2.38mm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Sayısı

2

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

20 @ 4A 4V

Weight

4.535924g

Voltage Rated Dc

60V

Element Configuration

Single

Collector Emitter Voltage Vceo

60V

Collector Base Voltage Vcbo

70V

Temel Parça No

MJD3055

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Case Connection

COLLECTOR

Collectoremitter Saturation Voltage

1.1V

Hfemin

20

Reach Svhc

No SVHC

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

Uzunluk

6.73mm

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Transistor Type

NPN

Polaritychannel Type

NPN