MJD3055G

Teknik Özellikler

Vce Saturation Max Ib Ic

8V @ 3.3A, 10A

Yayın Yılı

2002

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj Tipi

Surface Mount

Frekans

2MHz

Kurşunsuz

Lead Free

Number Of Elements

1

Max Power Dissipation

1.75W

Transistor Application

AMPLIFIER

Ambalaj

Tube

Parça Durumu

Obsolete

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)

Uzunluk

6.73mm

Gain Bandwidth Product

2MHz

Transistor Type

NPN

Polaritychannel Type

NPN

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Terminal Sayısı

2

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Yükseklik

2.38mm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Temel Parça No

MJD3055

Collector Base Voltage Vcbo

70V

Voltage Rated Dc

60V

Element Configuration

Single

Collector Emitter Voltage Vceo

60V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

20 @ 4A 4V

Weight

4.535924g

Case Connection

COLLECTOR

Reach Svhc

No SVHC

Hfemin

20

Collectoremitter Saturation Voltage

1.1V

Akım Değeri

10A

Transition Frequency

2MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

60V

Terminal Formu

GULL WING

ECCN Kodu

EAR99