MJD2955T4G

Teknik Özellikler

Number Of Elements

1

Max Power Dissipation

1.75W

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Active

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Transistor Application

AMPLIFIER

Contact Plating

Tin

Vce Saturation Max Ib Ic

8V @ 3.3A, 10A

Yayın Yılı

2002

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj Tipi

Surface Mount

Frekans

2MHz

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Max Breakdown Voltage

60V

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

Uzunluk

6.73mm

Gain Bandwidth Product

2MHz

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Polaritychannel Type

PNP

Transistor Type

PNP

Case Connection

COLLECTOR

Fabrika Tedarik Süresi

22 Weeks

Reach Svhc

No SVHC

Collectoremitter Saturation Voltage

1.1V

Hfemin

20

Terminal Sayısı

2

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Yükseklik

2.38mm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Collector Base Voltage Vcbo

70V

Temel Parça No

MJD2955

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

20 @ 4A 4V

Weight

4.535924g

Voltage Rated Dc

-60V

Element Configuration

Single

Collector Emitter Voltage Vceo

60V

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Element Material

SILICON