MJD2955G

Teknik Özellikler

Frekans

2MHz

Montaj Tipi

Surface Mount

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2002

Vce Saturation Max Ib Ic

8V @ 3.3A, 10A

Transistor Application

AMPLIFIER

Parça Durumu

Active

Ambalaj

Tube

Kurşunsuz

Lead Free

Max Power Dissipation

1.75W

Number Of Elements

1

Transistor Type

PNP

Polaritychannel Type

PNP

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Gain Bandwidth Product

2MHz

Uzunluk

6.7056mm

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Collector Emitter Voltage Vceo

60V

Element Configuration

Single

Voltage Rated Dc

-60V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

20 @ 4A 4V

Temel Parça No

MJD2955

Collector Base Voltage Vcbo

70V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Yükseklik

2.3876mm

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Terminal Sayısı

2

Hfemin

20

Collectoremitter Saturation Voltage

1.1V

Reach Svhc

No SVHC

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Case Connection

COLLECTOR

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

3

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Current Collector Cutoff Max

50μA