MJD253T4G

Teknik Özellikler

Power Dissipation

1.4W

Genişlik

6.22mm

Pin Sayısı

3

Yüzey Montaj

YES

Max Collector Current

4A

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Element Material

SILICON

Kurşunsuz Kodu

yes

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

3

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Akım Değeri

-4A

Transition Frequency

40MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

100V

Terminal Formu

GULL WING

ECCN Kodu

EAR99

Hfemin

40

Collectoremitter Saturation Voltage

600mV

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Case Connection

COLLECTOR

Voltage Rated Dc

-100V

Element Configuration

Single

Collector Emitter Voltage Vceo

100V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

40 @ 200mA 1V

Temel Parça No

MJD253

Collector Base Voltage Vcbo

100V

Yükseklik

2.38mm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Terminal Sayısı

2

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Max Breakdown Voltage

100V

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Emitter Base Voltage Vebo

7V

Polaritychannel Type

PNP

Transistor Type

PNP

Gain Bandwidth Product

40MHz

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)