MJD253-1G

Teknik Özellikler

Reach Svhc

No SVHC

Hfemin

40

Collectoremitter Saturation Voltage

600mV

Case Connection

COLLECTOR

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Temel Parça No

MJD253

Collector Base Voltage Vcbo

100V

Voltage Rated Dc

-100V

Collector Emitter Voltage Vceo

100V

Element Configuration

Single

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

40 @ 200mA 1V

Terminal Sayısı

3

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Yükseklik

2.38mm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Yüzey Montaj

NO

Max Collector Current

4A

Power Dissipation

1.4W

Genişlik

6.35mm

Pin Sayısı

4

Kurşunsuz Kodu

yes

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Element Material

SILICON

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Radyasyon Dayanımı

No

Akım Değeri

-4A

Collectoremitter Breakdown Voltage

100V

Transition Frequency

40MHz

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Pin Sayısı

4

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Kurşunsuz

Lead Free

Max Power Dissipation

12.5W

Number Of Elements

1

Transistor Application

AMPLIFIER

Parça Durumu

Active

Ambalaj

Tube

Halogen Free

Halogen Free