MJD253-001

Teknik Özellikler

Parça Durumu

Obsolete

Ambalaj

Tube

Collectoremitter Saturation Voltage

600mV

Transistor Application

AMPLIFIER

Hfemin

40

Max Power Dissipation

1.4W

Number Of Elements

1

Kurşunsuz

Contains Lead

Case Connection

COLLECTOR

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

40 @ 200mA 1V

Voltage Rated Dc

-100V

Collector Emitter Voltage Vceo

600mV

Element Configuration

Single

Collector Base Voltage Vcbo

100V

Montaj Tipi

Through Hole

Yayın Yılı

2007

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Temel Parça No

MJD253

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Vce Saturation Max Ib Ic

600mV @ 100mA, 1A

Terminal Sayısı

3

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Pin Sayısı

4

Max Collector Current

4A

Yüzey Montaj

NO

Transistor Element Material

SILICON

Kılıf / Paket

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

JESD-609 Kodu

e0

Currentcollector Ic Max

4A

Jesd30 Code

R-PSIP-T3

Kurşunsuz Kodu

no

Polaritychannel Type

PNP

Emitter Base Voltage Vebo

7V

Transistor Type

PNP

Gain Bandwidth Product

40MHz

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Pin Sayısı

4

Collectoremitter Breakdown Voltage

100V