MJD243T4G

Teknik Özellikler

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Case Connection

COLLECTOR

Collectoremitter Saturation Voltage

600mV

Hfemin

40

Reach Svhc

No SVHC

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Yükseklik

2.38mm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Sayısı

2

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

40 @ 200mA 1V

Voltage Rated Dc

100V

Collector Emitter Voltage Vceo

100V

Element Configuration

Single

Collector Base Voltage Vcbo

100V

Temel Parça No

MJD243

Transistor Element Material

SILICON

JESD-609 Kodu

e3

Kurşunsuz Kodu

yes

Pin Sayısı

3

Power Dissipation

1.4W

Genişlik

6.22mm

Max Collector Current

4A

Yüzey Montaj

YES

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Pin Sayısı

3

Terminal Formu

GULL WING

Collectoremitter Breakdown Voltage

100V

Transition Frequency

40MHz

ECCN Kodu

EAR99

Akım Değeri

4A

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Halogen Free

Halogen Free

Parça Durumu

Active

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Transistor Application

AMPLIFIER

Max Power Dissipation

12.5W

Number Of Elements

1

Kurşunsuz

Lead Free