MJD210T4G

Teknik Özellikler

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Case Connection

COLLECTOR

Collectoremitter Saturation Voltage

1.8V

Hfemin

70

Reach Svhc

No SVHC

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Yükseklik

2.38mm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Sayısı

2

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

45 @ 2A 1V

Voltage Rated Dc

-25V

Element Configuration

Single

Collector Emitter Voltage Vceo

25V

Collector Base Voltage Vcbo

40V

Temel Parça No

MJD210

Transistor Element Material

SILICON

JESD-609 Kodu

e3

Kurşunsuz Kodu

yes

Pin Sayısı

3

Power Dissipation

1.4W

Genişlik

6.22mm

Max Collector Current

5A

Yüzey Montaj

YES

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Pin Sayısı

3

Transition Frequency

65MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

25V

Terminal Formu

GULL WING

ECCN Kodu

EAR99

Akım Değeri

-5A

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Parça Durumu

Active

Transistor Application

AMPLIFIER

Max Power Dissipation

1.4W

Number Of Elements

1

Kurşunsuz

Lead Free

Contact Plating

Tin