MJD210G

Teknik Özellikler

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

3

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Akım Değeri

-5A

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Formu

GULL WING

Collectoremitter Breakdown Voltage

25V

Transition Frequency

65MHz

Genişlik

6.223mm

Power Dissipation

1.4W

Pin Sayısı

3

Yüzey Montaj

YES

Max Collector Current

5A

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Element Material

SILICON

Kurşunsuz Kodu

yes

Collector Emitter Voltage Vceo

25V

Element Configuration

Single

Voltage Rated Dc

-25V

Weight

4.535924g

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

45 @ 2A 1V

Temel Parça No

MJD210

Collector Base Voltage Vcbo

40V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Yükseklik

2.3876mm

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Terminal Sayısı

2

Hfemin

70

Collectoremitter Saturation Voltage

1.8V

Reach Svhc

No SVHC

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Case Connection

COLLECTOR

Transistor Type

PNP

Polaritychannel Type

PNP

Emitter Base Voltage Vebo

8V

Gain Bandwidth Product

65MHz

Uzunluk

6.7056mm

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)