MJD200T4G

Teknik Özellikler

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Sayısı

2

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

45 @ 2A 1V

Voltage Rated Dc

25V

Element Configuration

Single

Collector Emitter Voltage Vceo

25V

Collector Base Voltage Vcbo

40V

Temel Parça No

MJD200

Fabrika Tedarik Süresi

5 Weeks

Case Connection

COLLECTOR

Collectoremitter Saturation Voltage

1.8V

Hfemin

70

Reach Svhc

No SVHC

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Pin Sayısı

3

Transition Frequency

65MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

25V

Terminal Formu

GULL WING

ECCN Kodu

EAR99

Akım Değeri

5A

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transistor Element Material

SILICON

JESD-609 Kodu

e3

Kurşunsuz Kodu

yes

Pin Sayısı

3

Power Dissipation

1.4W

Max Collector Current

5A

Yüzey Montaj

YES

Contact Plating

Tin

Vce Saturation Max Ib Ic

1.8V @ 1A, 5A

Frekans

65MHz

Yayın Yılı

2006

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj Tipi

Surface Mount

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Parça Durumu

Active

Transistor Application

AMPLIFIER