MJD200RLG

Teknik Özellikler

Yüzey Montaj

YES

Max Collector Current

5A

Power Dissipation

1.4W

Pin Sayısı

3

Kurşunsuz Kodu

yes

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Element Material

SILICON

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Radyasyon Dayanımı

No

Akım Değeri

5A

ECCN Kodu

EAR99

Transition Frequency

65MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

25V

Terminal Formu

GULL WING

Pin Sayısı

3

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Hfemin

70

Collectoremitter Saturation Voltage

1.8V

Case Connection

COLLECTOR

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Temel Parça No

MJD200

Collector Base Voltage Vcbo

40V

Collector Emitter Voltage Vceo

25V

Element Configuration

Single

Voltage Rated Dc

25V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

45 @ 2A 1V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Terminal Sayısı

2

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Max Breakdown Voltage

25V

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gain Bandwidth Product

65MHz

Transistor Type

NPN

Polaritychannel Type

NPN

Emitter Base Voltage Vebo

8V

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

Kurşunsuz

Lead Free

Number Of Elements

1