MJD200

Teknik Özellikler

JESD-609 Kodu

e0

Transistor Element Material

SILICON

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

HTS Kodu

8541.29.00.95

Kurşunsuz Kodu

no

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Pin Sayısı

3

Max Collector Current

5A

Qualification Status

Not Qualified

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Pin Sayısı

3

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Akım Değeri

5A

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)

Terminal Formu

GULL WING

Transition Frequency

65MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

25V

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Type

NPN

Emitter Base Voltage Vebo

8V

Polaritychannel Type

NPN

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Gain Bandwidth Product

65MHz

Case Connection

COLLECTOR

Transistor Application

AMPLIFIER

Hfemin

70

Collectoremitter Saturation Voltage

1.8V

Ambalaj

Tube

Parça Durumu

Obsolete

Kurşunsuz

Contains Lead

Number Of Elements

1

Max Power Dissipation

1.4W

Vce Saturation Max Ib Ic

1.8V @ 1A, 5A

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Terminal Sayısı

2

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Montaj

Surface Mount

Voltage Rated Dc

25V