MJD128T4G

Teknik Özellikler

Vce Saturation Max Ib Ic

4V @ 80mA, 8A

Montaj Tipi

Surface Mount

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2007

Halogen Free

Halogen Free

Parça Durumu

Active

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Transistor Application

SWITCHING

Max Power Dissipation

1.75W

Number Of Elements

1

Kurşunsuz

Lead Free

Polarity

PNP

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Uzunluk

6.73mm

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Transistor Type

PNP - Darlington

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Yükseklik

2.38mm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Sayısı

2

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

1000 @ 4A 4V

Voltage Rated Dc

-120V

Element Configuration

Single

Collector Emitter Voltage Vceo

120V

Collector Base Voltage Vcbo

120V

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Frequency Transition

4MHz

Case Connection

COLLECTOR

Collectoremitter Saturation Voltage

2V

Reach Svhc

No SVHC

Current Collector Cutoff Max

5mA

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Pin Sayısı

3

Terminal Formu

GULL WING

Collectoremitter Breakdown Voltage

120V

ECCN Kodu

EAR99

Akım Değeri

-8A