MJD122TF

Teknik Özellikler

Transistor Type

NPN - Darlington

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Current Collector Cutoff Max

10μA

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Pin Sayısı

3

Terminal Formu

GULL WING

Collectoremitter Breakdown Voltage

100V

ECCN Kodu

EAR99

Akım Değeri

8A

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)

Polarity

NPN

Uzunluk

6.6mm

Genişlik

6.1mm

Max Collector Current

8A

Transistor Element Material

SILICON

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Max Breakdown Voltage

100V

JESD-609 Kodu

e3

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Kurşunsuz Kodu

yes

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

1000 @ 4A 4V

Weight

260.37mg

Voltage Rated Dc

100V

Element Configuration

Single

Collector Emitter Voltage Vceo

100V

Collector Base Voltage Vcbo

100V

Montaj Tipi

Surface Mount

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2009

Temel Parça No

MJD122

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Vce Saturation Max Ib Ic

4V @ 80mA, 8A

Yükseklik

2.3mm

Terminal Sayısı

2

Montaj

Surface Mount

Collectoremitter Saturation Voltage

2V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Parça Durumu

Obsolete