MJD122T4G

Teknik Özellikler

Pin Sayısı

3

Genişlik

6.22mm

Power Dissipation

20W

Max Collector Current

8A

Yüzey Montaj

YES

Transistor Element Material

SILICON

JESD-609 Kodu

e3

Kurşunsuz Kodu

yes

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Current Collector Cutoff Max

10μA

Pin Sayısı

3

Terminal Formu

GULL WING

Collectoremitter Breakdown Voltage

100V

Transition Frequency

4MHz

ECCN Kodu

EAR99

Akım Değeri

8A

Collectoremitter Saturation Voltage

2V

Reach Svhc

No SVHC

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Frequency Transition

4MHz

Case Connection

COLLECTOR

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

1000 @ 4A 4V

Voltage Rated Dc

100V

Element Configuration

Single

Collector Emitter Voltage Vceo

100V

Collector Base Voltage Vcbo

100V

Temel Parça No

MJD122

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Yükseklik

2.38mm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Sayısı

2

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Max Breakdown Voltage

100V

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Transistor Type

NPN - Darlington

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

Polarity

NPN