MJD117T4G

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

JESD-609 Kodu

e3

Kurşunsuz Kodu

yes

Pin Sayısı

3

Power Dissipation

20W

Genişlik

6.22mm

Max Collector Current

2A

Yüzey Montaj

YES

Current Collector Cutoff Max

20μA

Pin Sayısı

3

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Formu

GULL WING

Collectoremitter Breakdown Voltage

100V

Transition Frequency

25MHz

Akım Değeri

2A

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Case Connection

COLLECTOR

Frequency Transition

25MHz

Collectoremitter Saturation Voltage

2V

Hfemin

1000

Reach Svhc

No SVHC

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Yükseklik

2.38mm

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Terminal Sayısı

2

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

1000 @ 2A 3V

Element Configuration

Single

Collector Emitter Voltage Vceo

100V

Voltage Rated Dc

-100V

Collector Base Voltage Vcbo

100V

Temel Parça No

MJD117

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Max Breakdown Voltage

100V

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Uzunluk

6.73mm

Polarity

PNP