MJD117G

Teknik Özellikler

Voltage Rated Dc

-100V

Collector Emitter Voltage Vceo

100V

Element Configuration

Single

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

1000 @ 2A 3V

Temel Parça No

MJD117

Collector Base Voltage Vcbo

100V

Yükseklik

2.38mm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Terminal Sayısı

2

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Montaj

Surface Mount

Collectoremitter Saturation Voltage

2V

Reach Svhc

No SVHC

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Frequency Transition

25MHz

Case Connection

COLLECTOR

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Pin Sayısı

3

Current Collector Cutoff Max

20μA

Akım Değeri

-2A

Transition Frequency

25MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

100V

Terminal Formu

GULL WING

ECCN Kodu

EAR99

Genişlik

6.22mm

Power Dissipation

1.75W

Pin Sayısı

3

Max Collector Current

2A

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Element Material

SILICON

Kurşunsuz Kodu

yes

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj Tipi

Surface Mount

Yayın Yılı

2005

Vce Saturation Max Ib Ic

3V @ 40mA, 4A

Transistor Application

SWITCHING

Continuous Collector Current

2A